Indholdsfortegnelse:
- Definition - Hvad betyder Resistive Random Access Memory (ReRAM)?
- Techopedia forklarer Resistive Random Access Memory (ReRAM)
Definition - Hvad betyder Resistive Random Access Memory (ReRAM)?
Resistive Random Access Memory (RRAM / ReRAM) er en ny type hukommelse designet til at være ikke-flygtig. Det er under udvikling af en række virksomheder, og nogle har allerede patenteret deres egne versioner af teknologien. Hukommelsen fungerer ved at ændre modstanden for specielt dielektrisk materiale kaldet en memresistor (hukommelsesmodstand), hvis modstand varierer afhængigt af den anvendte spænding.
Techopedia forklarer Resistive Random Access Memory (ReRAM)
RRAM er resultatet af en ny type dielektrisk materiale, som ikke er permanent beskadiget og svigter, når dielektrisk nedbrydning finder sted; for en memresistor er den dielektriske sammenbrud midlertidig og reversibel. Når spænding bevidst påføres en memresistor, oprettes mikroskopiske ledende veje kaldet filamenter i materialet. Trådene er forårsaget af fænomener som metalvandring eller endda fysiske defekter. Filamenter kan brydes og vendes ved anvendelse af forskellige eksterne spændinger. Det er denne oprettelse og destruktion af filamenter i store mængder, der giver mulighed for lagring af digitale data. Materialer, der har memresistor-egenskaber, inkluderer oxider af titan og nikkel, nogle elektrolytter, halvledermaterialer, og endda et par organiske forbindelser er blevet testet for at have disse egenskaber.
RRAM's største fordel i forhold til anden ikke-flygtig teknologi er høj skiftehastighed. På grund af tyndheden hos memresistoren har den et stort potentiale for høj lagertæthed, større læse- og skrivehastigheder, lavere strømforbrug og billigere omkostninger end flashhukommelse. Flashhukommelse kan ikke fortsætte med at skalere på grund af materialernes grænser, så RRAM erstatter snart flashhukommelse.
