Indholdsfortegnelse:
Definition - Hvad betyder Flash-hukommelse?
Flashhukommelse er en ikke-flygtig hukommelseschip, der bruges til opbevaring og til overførsel af data mellem en pc (pc) og digitale enheder. Det har evnen til at blive programmeret elektronisk og slettet. Det findes ofte i USB-flashdrev, MP3-afspillere, digitale kameraer og solid-state drev.
Flashhukommelse er en type elektronisk sletbar programmerbar læsehukommelse (EEPROM), men kan også være en enkeltstående hukommelseslagringsenhed, såsom et USB-drev. EEPROM er en type datahukommelsesenhed, der bruger en elektronisk enhed til at slette eller skrive digitale data. Flashhukommelse er en særskilt type EEPROM, som er programmeret og slettet i store blokke.
Flashhukommelsen indeholder brugen af flydende gate-transistorer til lagring af data. Flydende gate-transistorer eller flydende gate MOSFET (FGMOS) svarer til MOSFET, som er en transistor, der bruges til at forstærke eller skifte elektroniske signaler. Flydende gate-transistorer er elektrisk isoleret og bruger en flydende knude i jævnstrøm (DC). Flashhukommelse ligner standard MOFSET, bortset fra at transistoren har to porte i stedet for en.
Techopedia forklarer Flashhukommelse
Flashhukommelse blev først introduceret i 1980 og udviklet af Dr. Fujio Masuoka, en opfinder og fabriksdirektør på mellemniveau hos Toshiba Corporation (TOSBF). Flashhukommelse blev opkaldt efter dens evne til at slette en blok af data "" på en flash. "Dr. Masuokas mål var at skabe en hukommelseschip, der bevarede data, når strømmen blev slukket. Dr. Masuoka opfandt også en type hukommelse kendt som SAMOS og udviklede en 1 MB dynamisk tilfældig adgangshukommelse (DRAM). I 1988 producerede Intel Corporation den første kommercielle NOR-type flashchip, som erstattede den permanente read-only memory (ROM) -chip på pc-bundkort, der indeholdt den grundlæggende input / output-drift system (BIOS).
En flashhukommelseschip er sammensat af NOR- eller NAND-porte. NOR er en type hukommelsescelle oprettet af Intel i 1988. NOR gate interface understøtter fulde adresser, databusser og tilfældig adgang til ethvert hukommelsessted. Opbevaringstiden for NOR-flash er 10.000 til 1.000.000 skrive / sletningscyklusser.
NAND blev udviklet af Toshiba et år efter, at NOR blev produceret. Det er hurtigere, har en lavere pris pr. Bit, kræver mindre chipareal pr. Celle og har tilføjet elasticitet. Opbevaringstiden for en NAND-gate er ca. 100.000 skrive / sletningscyklusser. I NOR-gate-blitz har hver celle en ende, der er forbundet til en bitlinie, og den anden ende forbundet til en jord. Hvis en ordlinje er "høj", fortsætter transistoren med at sænke outputbitlinien.
Flash-hukommelse har mange funktioner. Det er meget billigere end EEPROM og kræver ikke batterier til opbevaring i fast tilstand, såsom statisk RAM (SRAM). Det er ikke-flygtigt, har en meget hurtig adgangstid og har en højere modstand mod kinetisk stød sammenlignet med et harddiskdrev. Flashhukommelse er ekstremt holdbar og kan modstå intenst tryk eller ekstreme temperaturer. Det kan bruges til en lang række applikationer såsom digitale kameraer, mobiltelefoner, bærbare computere, PDA'er (personlige digitale assistenter), digitale lydafspillere og solid-state drev (SSD'er).
