Indholdsfortegnelse:
- Definition - Hvad betyder udvidet Data Out Random Access Memory (EDO RAM)?
- Techopedia forklarer Extended Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Definition - Hvad betyder udvidet Data Out Random Access Memory (EDO RAM)?
Udvidet data out random access-hukommelse (EDO RAM / DRAM) er en tidlig type dynamisk random access-hukommelse (DRAM) -chip, der blev designet til at forbedre ydeevnen for hurtig sidetilstand DRAM (FPM DRAM), der blev brugt i 1990'erne. Dets vigtigste funktion var, at det eliminerede ventetider ved at lade en ny cyklus starte, mens dataoutputbufferen bevares fra den foregående cyklus, hvilket tillader en grad af rørledning (overlapning i drift), der forbedrede ydelsen.
Techopedia forklarer Extended Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Udvidet data ud af dynamisk tilfældig adgangshukommelse blev introduceret i 1994 og begyndte at erstatte fast page mode DRAM i 1995, da Intel først introducerede 430FX-chipset, der understøtter EDO DRAM. Før det kunne EDO DRAM erstatte FPM DRAM, men hvis hukommelseskontrolleren ikke var specielt designet til EDO, forblev ydelsen den samme som FPM.
Encyklus EDO DRAM er i stand til at udføre en hel hukommelsestransaktion i en enkelt urcyklus, ellers kan den gøre det i to cyklusser i stedet for tre, når først siden er valgt. EDO's kapacitet gjorde det muligt for den at erstatte den langsomme L2-cache på pc'er på det tidspunkt og reducerede det enorme ydelsestab, der er forbundet med L2-cachen, samtidig med at PC'erne blev billigere at bygge generelt. Så et system, der brugte EDO med L2-cache, var meget hurtigere sammenlignet med FPM- og L2-cache-kombinationen, mens det også var billigere at opbygge.
EDO blev bedømt til 40 MHz maksimal urhastighed, 64 bit busbåndbredde, 320 MBps højeste båndbredde og løb med 5 volt. Det var konkret hurtigere end den ældre FPM DRAM, der kun havde 25 MHz maksimal urhastighed og 200 MBps højeste båndbredde. Den blev imidlertid afløst af den hurtigere SDRAM, der startede i 1996, efter kun to års stor brug.
