Indholdsfortegnelse:
Definition - Hvad betyder Synchronous DRAM (SDRAM)?
Synkron dynamisk tilfældig adgangshukommelse (SDRAM) er dynamisk tilfældig adgangshukommelse (DRAM) med en grænseflade synkron med systembussen, der bærer data mellem CPU og hukommelseskontrolnav. SDRAM har en hurtigt svarende synkron grænseflade, som er synkroniseret med systembussen. SDRAM venter på uret, før det reagerer på kontrolindgange.
SDRAM gik forud for dobbelt datahastighed (DDR). Den nyere grænseflade i DRAM har en dobbelt dataoverførselshastighed ved hjælp af både de faldende og stigende kanter af uret signal. Dette kaldes dobbeltpumpet, dobbeltpumpet eller dobbelt overgang. Der er tre markante karakteristika, der adskiller SDRAM og DDR:
- Den største forskel er mængden af data, der transmitteres med hver cyklus, ikke hastigheden.
- SDRAM sender signaler en gang pr. Urcyklus. DDR overfører data to gange pr. Urcyklus. (Både SDRAM og DDR bruger de samme frekvenser.)
- SDRAM bruger den ene kant af uret. DDR bruger begge kanter af uret.
SDRAM har et 64-bit modul med lange 168-pin dual inline hukommelsesmoduler (DIMM'er). SDRAM-adgangstid er 6 til 12 nanosekunder (ns). SDRAM er erstatning for dynamisk tilfældig adgangshukommelse (DRAM) og EDO RAM. DRAM er en type hukommelse med tilfældig adgang (RAM) med hver bit data i en isoleret komponent i et integreret kredsløb. Ældre EDO RAM udføres ved 66 MHz.
Techopedia forklarer Synchronous DRAM (SDRAM)
Med ældre urede elektroniske kredsløb var overførselshastigheden en pr. Fuld cyklus af kloksignalet. Denne cyklus kaldes stigning og fald. Et klokkesignal skifter to gange pr. Overførsel, men datalinjerne ændres ikke mere end en gang pr. Overførsel. Denne begrænsning kan forårsage integritet (datakorruption og fejl under transmission), når der bruges høje båndbredde. SDRAM sender signaler en gang pr. Urcyklus. Den nyere DDR sender to gange pr. Urcyklus.
SDRAM forbedres DRAM med en synkron grænseflade, der venter på en urpuls, før den reagerer på dataindtastning. SDRAM bruger en funktion kaldet pipelining, som accepterer nye data, før behandlingen af tidligere data afsluttes. En forsinkelse i databehandlingen kaldes latens.
DRAM-teknologi er blevet brugt siden 1970'erne. I 1993 blev SDRAM implementeret af Samsung med synkron DRAM model KM48SL2000. I 2000 blev DRAM erstattet af SDRAM. I begyndelsen var SDRAM langsommere end burst EDO DRAM på grund af de ekstra logiske funktioner. Men fordelene ved SDRAM tillod mere end et sæt hukommelse, hvilket øgede båndbreddens effektivitet.
Med introduktionen af DDR begyndte SDRAM hurtigt at falme ud af brug, fordi DDR var billigere og mere omkostningseffektivt. SDRAM brugte en 168-pin, mens DDR-modulet brugte en 184-pin. SDRAM-moduler brugte en spænding på 3, 3V og DDR brugte 2, 6V og producerede mindre varme.
